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三极管

流控电流源

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基区弄薄，空穴掺杂浓度低，方便电子通过，复合的尽可能少；集电区面积大方便收集。

导通条件：发射结正偏（大于开启电压），集电结反偏 $V_{BE} > V_{TN}, V_{CB}\ge 0$

放大电路

加入限流电阻 $R_b=1k\Omega$ 防止击穿。

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截止失真和饱和失真

一、饱和失真

当静态工作点Q 设置过高时，输入信号正半周会使三极管进入饱和区，也就是 $V_{CB} < 0$。此时，集电极不再收集电子。即使基极电流 $I_B$ 继续增大，集电极电流 $I_C$ 也无法随之线性增加，导致输出电压 $u_{CE}$被“削顶”，产生饱和失真。

二、截止失真

当静态工作点Q 设置过低时，输入信号负半周会使三极管进入截止区，也就是 $V_{BE}<V_{TH}$，发射区不再发射。此时，基极电流$I_B$ 减小到零（或接近零），集电极电流$I_C$ 也随之减小到零（或接近零），无法跟随 $I_B$ 的进一步减小而变化，导致输出电压 $u_{CE}$ 被“削底”，产生截止失真。