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FET管（场效应管）

三极管穿过PN结有很大损耗，改进方向是让其不穿过。压控电压源。

JFET(Junction Field Effect Transistor，结型场效应管，耗尽型)

用电压控制PN结的宽度来控制导电沟道，导电沟道本来就存在，PN结（耗尽层）越宽，沟道越窄，也就是沟道从有到无。

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$V_{gs}<0$ 即反偏保证电流不走gs通道，也就是 $i_g$很小，电阻非常大，一般输入信号都从g极输入，也就是保证了更大的输入电阻； $V_{ds} \gt 0$ ，源极发射载流子（电子），漏极吸引载流子（电子）。

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$V_{gs(off)}$就是夹断电压，加入 $V_{ds}$后也一样。此外， $V_d \gt V_s \gt V_g \Rightarrow V_{ds} \gt0\gt V_{gs}$，这意味着ds处的pn结比gs处的厚，从而形成楔形区域。

预夹断轨迹描述了如果dg间没有夹断， $i_D$随 $V_{ds}$的变化曲线。显然， $V_{dg} = V_{ds} - V_{gs}$，随着 $V_{gs}$ 变大，而 $V_{dg(off)} = V_{gs(off)}$不变，这也意味着 $V_{ds(off)}$要相应地右移。

当$V_{gs}$ 一定， $V_{ds}$ 达到对应的夹断点 $V_{ds(off)}$，一方面根据预夹断曲线 $i_D$随 $V_{ds}$变大，但夹断又导致 $i_D$变小，因此饱和，保持平衡。

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MOSFET(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体管）

NMOS就是s、d极都是N，p极衬底。

本来不存在导电沟道，N极高浓度电子（掺入五价元素就是为了使电子为多数载流子），增强型——让沟道从无到有，分为g极，s极，d极，p极（一般与s极相接）。

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就像下图

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$0 < V_{gs} \lt V_{gs(th)}$时，通道未开启。